
IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 136.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUT300N08S5N014ATMA1 за ціною від 142.38 грн до 387.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 110781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 52967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 6654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 6654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IAUT300N08S5N014ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |