Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUT300N10S5N015
IAUT300N10S5N015

IAUT300N10S5N015 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUT300N10S5N015 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 300A, Power dissipation: 375W, Case: PG-HSOF-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 68nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 5.

Інші пропозиції IAUT300N10S5N015

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N10S5N015.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015.pdf
IAUT300N10S5N015ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.