Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUT300N10S5N015ATMA1
IAUT300N10S5N015ATMA1

IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies

34infineon-iaut300n10s5n015-ds-v01_00-en.pdffileid5546d4625ee5d4cd0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+169.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUT300N10S5N015ATMA1 за ціною від 172.95 грн до 553.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT300N10S5N015-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2469d7203245 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+180.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n10s5n015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+209.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n10s5n015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+225.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003823099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+314.55 грн
50+ 284.59 грн
100+ 254.63 грн
500+ 216.97 грн
1000+ 188.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003823099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+314.55 грн
50+ 284.59 грн
100+ 254.63 грн
500+ 216.97 грн
1000+ 188.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT300N10S5N015-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2469d7203245 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+369.75 грн
10+ 299.31 грн
100+ 242.14 грн
500+ 201.99 грн
1000+ 172.95 грн
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUT300N10S5N015_DataSheet_v01_01_EN-3361587.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 20323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+401.9 грн
10+ 333.21 грн
25+ 279.73 грн
100+ 235 грн
250+ 233.66 грн
500+ 208.3 грн
1000+ 178.25 грн
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n10s5n015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+553.86 грн
29+ 403.69 грн
50+ 357.86 грн
100+ 324.39 грн
200+ 282.95 грн
500+ 253.25 грн
1000+ 237.37 грн
2000+ 236.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n10s5n015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товар відсутній
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N10S5N015.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N10S5N015.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
товар відсутній