Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUT300N10S5N015ATMA1
IAUT300N10S5N015ATMA1

IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUT300N10S5N015-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2469d7203245 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+170.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUT300N10S5N015ATMA1 за ціною від 160.30 грн до 469.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 34infineon-iaut300n10s5n015-ds-v01_00-en.pdffileid5546d4625ee5d4cd0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+191.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n10s5n015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+191.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003823099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+237.51 грн
500+218.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n10s5n015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+239.23 грн
500+226.11 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n10s5n015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 213528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+239.23 грн
500+226.11 грн
1000+213.99 грн
10000+193.70 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n10s5n015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+239.23 грн
500+226.11 грн
1000+213.99 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT300N10S5N015-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2469d7203245 Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.16 грн
10+278.35 грн
100+201.31 грн
500+188.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n10s5n015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+438.48 грн
50+317.36 грн
100+302.82 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT300N10S5N015-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.02 грн
10+286.96 грн
100+190.55 грн
500+188.28 грн
1000+186.01 грн
2000+160.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003823099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+469.07 грн
50+319.78 грн
100+237.51 грн
500+218.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n10s5n015-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA3F7795BC38BF&compId=IAUT300N10S5N015.pdf?ci_sign=e3a82d26f35a79f1a1297b5f8c8713126b20d22b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA3F7795BC38BF&compId=IAUT300N10S5N015.pdf?ci_sign=e3a82d26f35a79f1a1297b5f8c8713126b20d22b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.