Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUTN06S5N008ATMA1
IAUTN06S5N008ATMA1

IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUTN06S5N008_Datasheet-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186314156af0dfa
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+170.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 510A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IAUTN06S5N008ATMA1 за ціною від 175.52 грн до 495.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008_datasheet-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+324.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008_datasheet-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+391.73 грн
10+344.18 грн
25+340.76 грн
100+272.94 грн
250+251.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008_datasheet-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+391.73 грн
42+340.76 грн
100+272.94 грн
250+251.96 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN06S5N008_Datasheet-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186314156af0dfa Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.79 грн
10+299.11 грн
50+236.18 грн
100+202.65 грн
500+188.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUTN06S5N008_Datasheet_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+495.72 грн
10+328.84 грн
100+206.97 грн
500+193.07 грн
1000+182.83 грн
2000+175.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 INFINEON 3968256.pdf Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 INFINEON 3968256.pdf Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 infineon-iautn06s5n008_datasheet-datasheet-v02_00-en.pdf
IAUTN06S5N008ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+324.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 infineon-iautn06s5n008_datasheet-datasheet-v02_00-en.pdf
IAUTN06S5N008ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+391.73 грн
10+344.18 грн
25+340.76 грн
100+272.94 грн
250+251.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 infineon-iautn06s5n008_datasheet-datasheet-v02_00-en.pdf
IAUTN06S5N008ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+391.73 грн
42+340.76 грн
100+272.94 грн
250+251.96 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon-IAUTN06S5N008_Datasheet-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186314156af0dfa
IAUTN06S5N008ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+462.79 грн
10+299.11 грн
50+236.18 грн
100+202.65 грн
500+188.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon_IAUTN06S5N008_Datasheet_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IAUTN06S5N008ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+495.72 грн
10+328.84 грн
100+206.97 грн
500+193.07 грн
1000+182.83 грн
2000+175.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 3968256.pdf
IAUTN06S5N008ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008ATMA1 3968256.pdf
IAUTN06S5N008ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.