IAUTN06S5N008GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 275.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUTN06S5N008GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 504A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUTN06S5N008GATMA1 за ціною від 187.37 грн до 505.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUTN06S5N008GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 25200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUTN06S5N008GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUTN06S5N008GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUTN06S5N008GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 504A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUTN06S5N008GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUTN06S5N008GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IAUTN06S5N008GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IAUTN06S5N008GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |