Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUTN06S5N008GATMA1
IAUTN06S5N008GATMA1

IAUTN06S5N008GATMA1 Infineon Technologies

infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+272.64 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN06S5N008GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 504A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IAUTN06S5N008GATMA1 за ціною від 197.42 грн до 545.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+315.84 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : INFINEON 4015573.pdf Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+404.24 грн
100+327.67 грн
500+278.27 грн
1000+213.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+409.29 грн
10+360.39 грн
25+350.44 грн
100+295.21 грн
250+266.88 грн
500+238.51 грн
1000+217.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUTN06S5N008G_DataSheet_v02_00_EN-3369283.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.91 грн
10+331.69 грн
100+213.57 грн
500+197.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUTN06S5N008G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701863141615f0dfd Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.41 грн
10+338.06 грн
100+246.46 грн
500+199.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : INFINEON 4015573.pdf Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+545.02 грн
10+404.24 грн
100+327.67 грн
500+278.27 грн
1000+213.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUTN06S5N008G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701863141615f0dfd Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.