IAUTN06S5N008GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 336.99 грн |
| 10+ | 245.18 грн |
| 100+ | 215.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUTN06S5N008GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1, Power Dissipation (Max): 358W (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IAUTN06S5N008GATMA1 за ціною від 188.89 грн до 509.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUTN06S5N008GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IAUTN06S5N008GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 509.82 грн |
| 10+ | 338.81 грн |
| 100+ | 214.27 грн |
| 500+ | 202.99 грн |
| 1800+ | 188.89 грн |