Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUTN06S5N008GATMA1
IAUTN06S5N008GATMA1

IAUTN06S5N008GATMA1 Infineon Technologies

infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+273.30 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN06S5N008GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 504A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUTN06S5N008GATMA1 за ціною від 186.03 грн до 501.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+316.60 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUTN06S5N008G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701863141615f0dfd Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.08 грн
10+251.79 грн
100+221.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : INFINEON 4015573.pdf Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+453.48 грн
10+323.43 грн
100+251.65 грн
500+205.45 грн
1000+186.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+473.40 грн
10+416.84 грн
25+405.33 грн
100+341.44 грн
250+308.68 грн
500+275.87 грн
1000+250.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUTN06S5N008G_DataSheet_v02_00_EN-3369283.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.48 грн
10+340.22 грн
100+219.06 грн
500+202.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUTN06S5N008G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701863141615f0dfd Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.