Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUTN06S5N008TATMA1
IAUTN06S5N008TATMA1

IAUTN06S5N008TATMA1 Infineon Technologies

infineon-iautn06s5n008t-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+393.82 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN06S5N008TATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 503A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IAUTN06S5N008TATMA1 за ціною від 236.06 грн до 544.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUTN06S5N008TATMA1 IAUTN06S5N008TATMA1 Виробник : INFINEON 4015574.pdf Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+441.88 грн
100+357.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1 IAUTN06S5N008TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUTN06S5N008T-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018631414d0a0df7 Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.28 грн
10+357.26 грн
100+288.80 грн
500+236.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1 IAUTN06S5N008TATMA1 Виробник : INFINEON 4015574.pdf Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+525.68 грн
10+441.88 грн
100+357.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1 IAUTN06S5N008TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUTN06S5N008T_DataSheet_v02_00_EN-3369235.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.07 грн
10+451.25 грн
25+369.76 грн
100+316.93 грн
250+299.58 грн
500+281.47 грн
1000+262.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1 IAUTN06S5N008TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008t-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1 IAUTN06S5N008TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008t-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1 IAUTN06S5N008TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008t-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN06S5N008TATMA1 IAUTN06S5N008TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUTN06S5N008T-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018631414d0a0df7 Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.