IAUTN06S5N008TATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 392.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUTN06S5N008TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 503A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUTN06S5N008TATMA1 за ціною від 253.95 грн до 530.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUTN06S5N008TATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 503A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUTN06S5N008TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 503A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUTN06S5N008TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUTN06S5N008TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IAUTN06S5N008TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IAUTN06S5N008TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |