Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUTN08S5N012LATMA1
IAUTN08S5N012LATMA1

IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUTN08S5N012L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef669549208cf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+406.80 грн
10+298.97 грн
25+275.92 грн
100+235.15 грн
250+223.80 грн
500+216.96 грн
1000+207.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 375W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IAUTN08S5N012LATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUTN08S5N012L_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 INFINEON 4421042.pdf Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 INFINEON 4421042.pdf Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon_IAUTN08S5N012L_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUTN08S5N012LATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 4421042.pdf
IAUTN08S5N012LATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 4421042.pdf
IAUTN08S5N012LATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN08S5N012LATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 300 A, 1150 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1150µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 375W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.