Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUTN08S5N012LATMA1
IAUTN08S5N012LATMA1

IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUTN08S5N012L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef669549208cf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.65 грн
10+311.35 грн
25+287.35 грн
100+244.89 грн
250+233.07 грн
500+225.95 грн
1000+216.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 375W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUTN08S5N012LATMA1 за ціною від 211.29 грн до 477.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUTN08S5N012L_DataSheet_v01_00_EN-3512231.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.16 грн
10+394.85 грн
25+323.73 грн
100+277.69 грн
250+261.85 грн
500+246.76 грн
1000+211.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn08s5n012l-datasheet-v01_00-en.pdf Automotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUTN08S5N012L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef669549208cf Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Tray
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.