IAUTN12S5N017ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 419.80 грн |
| 100+ | 322.86 грн |
| 500+ | 295.67 грн |
| 1000+ | 268.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUTN12S5N017ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 314A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUTN12S5N017ATMA1 за ціною від 265.25 грн до 595.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUTN12S5N017ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(120V 300V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUTN12S5N017ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUTN12S5N017ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 314A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUTN12S5N017ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 314A |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IAUTN12S5N017ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(120V 300V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |