Продукція > INFINEON > IAUTN12S5N018TATMA1
IAUTN12S5N018TATMA1

IAUTN12S5N018TATMA1 INFINEON


4015576.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+472.92 грн
50+420.98 грн
100+371.83 грн
250+350.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN12S5N018TATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 309A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pins, Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IAUTN12S5N018TATMA1 за ціною від 328.37 грн до 661.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUTN12S5N018TATMA1 IAUTN12S5N018TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUTN12S5N018T-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01877a90a419079e Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+581.52 грн
10+461.26 грн
100+384.12 грн
500+328.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018TATMA1 IAUTN12S5N018TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUTN12S5N018T_DataSheet_v02_00_EN-3369322.pdf MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+633.38 грн
10+535.39 грн
25+422.34 грн
100+387.46 грн
250+365.47 грн
500+341.96 грн
1000+332.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018TATMA1 IAUTN12S5N018TATMA1 Виробник : INFINEON 4015576.pdf Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+661.75 грн
5+567.34 грн
10+472.92 грн
50+420.98 грн
100+371.83 грн
250+350.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn12s5n018t-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 309A 16-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN12S5N018TATMA1 IAUTN12S5N018TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUTN12S5N018T-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01877a90a419079e Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.