Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUTN15S6N025ATMA1
IAUTN15S6N025ATMA1

IAUTN15S6N025ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUTN15S6N025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e01972f8414536f1c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+286.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN15S6N025ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 245A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.

Інші пропозиції IAUTN15S6N025ATMA1 за ціною від 304.80 грн до 734.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUTN15S6N025ATMA1 IAUTN15S6N025ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN15S6N025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e01972f8414536f1c Description: MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 6114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.70 грн
10+452.22 грн
50+363.10 грн
100+316.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025ATMA1 IAUTN15S6N025ATMA1 Infineon Technologies infineon_iautn15s6n025_datasheet_en.pdf MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
на замовлення 5074 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+734.85 грн
10+398.87 грн
100+322.07 грн
1000+304.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025ATMA1 IAUTN15S6N025ATMA1 INFINEON 4631622.pdf Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025ATMA1 IAUTN15S6N025ATMA1 INFINEON 4631622.pdf Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025ATMA1 Infineon-IAUTN15S6N025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9715623e01972f8414536f1c
IAUTN15S6N025ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
на замовлення 6114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+685.70 грн
10+452.22 грн
50+363.10 грн
100+316.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025ATMA1 infineon_iautn15s6n025_datasheet_en.pdf
IAUTN15S6N025ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
на замовлення 5074 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+734.85 грн
10+398.87 грн
100+322.07 грн
1000+304.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025ATMA1 4631622.pdf
IAUTN15S6N025ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025ATMA1 4631622.pdf
IAUTN15S6N025ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.