IAUTN15S6N038TATMA1

IAUTN15S6N038TATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUTN15S6N038T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196fdc7cc9b7125
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.05 грн
10+347.00 грн
25+321.20 грн
100+274.86 грн
250+262.18 грн
500+254.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN15S6N038TATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUTN15S6N038TATMA1 за ціною від 255.21 грн до 490.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUTN15S6N038TATMA1 IAUTN15S6N038TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUTN15S6N038T_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.84 грн
10+345.48 грн
100+261.47 грн
500+255.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N038TATMA1 IAUTN15S6N038TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUTN15S6N038T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196fdc7cc9b7125 Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.