Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUZ18N10S5L420ATMA1
IAUZ18N10S5L420ATMA1

IAUZ18N10S5L420ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUZ18N10S5L420-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a629e850dd5 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUZ18N10S5L420ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUZ18N10S5L420ATMA1 за ціною від 23.25 грн до 95.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUZ18N10S5L420-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a629e850dd5 Description: MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.77 грн
10+57.98 грн
100+38.27 грн
500+27.97 грн
1000+25.41 грн
2000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ18N10S5L420ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauz18n10s5l420-datasheet-v01_00-en.pdf MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ18N10S5L420ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ18N10S5L420-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a629e850dd5 IAUZ18N10S5L420 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ18N10S5L420ATMA1 IAUZ18N10S5L420ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUZ18N10S5L420_DataSheet_v01_00_EN-1901211.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.