Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUZ20N08S5L300ATMA1
IAUZ20N08S5L300ATMA1

IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUZ20N08S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6316a2012e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUZ20N08S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 20 A, 0.0224 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 30W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0224ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0224ohm.

Інші пропозиції IAUZ20N08S5L300ATMA1 за ціною від 19.51 грн до 80.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ20N08S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6316a2012e Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.88 грн
10+49.02 грн
100+32.25 грн
500+23.51 грн
1000+21.34 грн
2000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUZ20N08S5L300_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZ20N08S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6316a2012e Description: INFINEON - IAUZ20N08S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 20 A, 0.0224 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0224ohm
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZ20N08S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6316a2012e Description: INFINEON - IAUZ20N08S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 20 A, 0.0224 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0224ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0224ohm
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon-IAUZ20N08S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6316a2012e
IAUZ20N08S5L300ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.88 грн
10+49.02 грн
100+32.25 грн
500+23.51 грн
1000+21.34 грн
2000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon_IAUZ20N08S5L300_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IAUZ20N08S5L300ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon-IAUZ20N08S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6316a2012e
IAUZ20N08S5L300ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ20N08S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 20 A, 0.0224 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0224ohm
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon-IAUZ20N08S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6316a2012e
IAUZ20N08S5L300ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ20N08S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 20 A, 0.0224 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0224ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0224ohm
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.