Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUZ20N08S5L300ATMA1
IAUZ20N08S5L300ATMA1

IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUZ20N08S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6316a2012e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUZ20N08S5L300ATMA1 за ціною від 21.12 грн до 87.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUZ20N08S5L300_DataSheet_v01_00_EN-1696510.pdf MOSFETs N
на замовлення 8607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.47 грн
10+58.50 грн
100+39.62 грн
500+33.60 грн
1000+25.76 грн
5000+24.53 грн
10000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUZ20N08S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6316a2012e Description: MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 599 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.13 грн
10+52.99 грн
100+34.91 грн
500+25.46 грн
1000+23.10 грн
2000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauz20n08s5l300-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ20N08S5L300ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ20N08S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6316a2012e IAUZ20N08S5L300 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.