Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUZ30N08S5N186ATMA1
IAUZ30N08S5N186ATMA1

IAUZ30N08S5N186ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUZ30N08S5N186-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd436b20214 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.26 грн
10+55.26 грн
100+36.48 грн
500+26.67 грн
1000+24.24 грн
2000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUZ30N08S5N186ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUZ30N08S5N186ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUZ30N08S5N186ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauz30n08s5n186-datasheet-v01_01-en.pdf SP005423086
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUZ30N08S5N186-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd436b20214 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N08S5N186ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUZ30N08S5N186_DataSheet_v01_01_EN-3361623.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.