IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 26.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 45.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45.5W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUZ30N10S5L240ATMA1 за ціною від 23.51 грн до 105.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 45.5W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 24773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 45.5W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IAUZ30N10S5L240ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IAUZ30N10S5L240 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |