Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUZ40N06S5L050ATMA1
IAUZ40N06S5L050ATMA1

IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.91 грн
10000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IAUZ40N06S5L050ATMA1 за ціною від 33.12 грн до 127.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies infineoniauz40n06s5l050datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+60.50 грн
1000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies infineoniauz40n06s5l050datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+60.50 грн
1000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies infineoniauz40n06s5l050datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1 Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.78 грн
10+78.20 грн
100+52.47 грн
500+38.90 грн
1000+35.57 грн
2000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IAUZ40N06S5L050_DataSheet_v01_03_EN.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON 3668057.pdf Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON 3668057.pdf Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 infineoniauz40n06s5l050datasheetv0103en.pdf
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
581+60.50 грн
1000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 infineoniauz40n06s5l050datasheetv0103en.pdf
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
581+60.50 грн
1000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 infineoniauz40n06s5l050datasheetv0103en.pdf
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.78 грн
10+78.20 грн
100+52.47 грн
500+38.90 грн
1000+35.57 грн
2000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon_IAUZ40N06S5L050_DataSheet_v01_03_EN.pdf
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 3668057.pdf
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 3668057.pdf
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.