IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 45.14 грн |
| 500+ | 33.34 грн |
| 1000+ | 25.96 грн |
| 5000+ | 23.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUZ40N06S5L050ATMA1 за ціною від 23.91 грн до 115.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 4695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005423482 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 36.7nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 252A Mounting: SMD кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IAUZ40N06S5L050ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 36.7nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 252A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |