IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 31.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 71W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUZ40N06S5N050ATMA1 за ціною від 28.93 грн до 127.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 10181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Power dissipation: 71W Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.5nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Technology: OptiMOS™ 5 Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 241A |
товару немає в наявності |