IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.79 грн |
| 10+ | 37.78 грн |
| 100+ | 34.97 грн |
| 500+ | 31.88 грн |
| 1000+ | 31.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IAUZ40N06S5N050ATMA1 за ціною від 31.78 грн до 85.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 30563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.004 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 86A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30.5nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 241A Mounting: SMD кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30.5nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 241A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |