Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUZN04S7L012ATMA1
IAUZN04S7L012ATMA1

IAUZN04S7L012ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iauzn04s7l012-datasheet-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.93 грн
10+77.47 грн
100+51.94 грн
500+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUZN04S7L012ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUZN04S7L012ATMA1 за ціною від 30.92 грн до 143.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUZN04S7L012ATMA1 IAUZN04S7L012ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon_iauzn04s7l012_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.37 грн
10+89.35 грн
100+52.17 грн
500+42.73 грн
1000+37.42 грн
2500+34.41 грн
5000+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L012ATMA1 IAUZN04S7L012ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauzn04s7l012-datasheet-en.pdf Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 199A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3686 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.