IAUZN04S7N013ATMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 49.06 грн |
| 500+ | 40.84 грн |
| 1000+ | 35.34 грн |
| 5000+ | 32.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUZN04S7N013ATMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IAUZN04S7N013ATMA2 за ціною від 29.92 грн до 85.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUZN04S7N013ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology |
на замовлення 3088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUZN04S7N013ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUZN04S7N013ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tray Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IAUZN04S7N013ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 193A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.33mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |