ICPB1010-1-110I Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT
Packaging: Box
Package / Case: Die
Current Rating (Amps): 4A
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 14GHz
Power - Output: 50W
Gain: 6.1dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: Die
Voltage - Rated: 28 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 500 mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11738.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ICPB1010-1-110I Microchip Technology
Description: DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT, Packaging: Box, Package / Case: Die, Current Rating (Amps): 4A, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 14GHz, Power - Output: 50W, Gain: 6.1dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: Die, Voltage - Rated: 28 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 500 mA.
Інші пропозиції ICPB1010-1-110I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ICPB1010-1-110I | Виробник : Microchip Technology |
GaN FETs DC-14 GHz 50W Discrete GaN HEMT |
товару немає в наявності |