ICPB1010-1-110I Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 28 V
Supplier Device Package: Die
Technology: GaN HEMT
Gain: 6.1dB
Power - Output: 50W
Frequency: 14GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 4A
Package / Case: Die
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ICPB1010-1-110I Microchip Technology
Description: DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT, Current - Test: 500 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 28 V, Supplier Device Package: Die, Technology: GaN HEMT, Gain: 6.1dB, Power - Output: 50W, Frequency: 14GHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 4A, Package / Case: Die, Packaging: Box.
Інші пропозиції ICPB1010-1-110I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ICPB1010-1-110I | Microchip Technology |
GaN FETs DC-14 GHz 50W Discrete GaN HEMT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| ICPB1010-1-110I |
|
Виробник: Microchip Technology
GaN FETs DC-14 GHz 50W Discrete GaN HEMT
GaN FETs DC-14 GHz 50W Discrete GaN HEMT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.