
IDB06S60CATMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO263-3-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 38373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
127+ | 179.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDB06S60CATMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V.
Інші пропозиції IDB06S60CATMA2 за ціною від 177.01 грн до 177.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDB06S60CATMA2 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 38373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
IDB06S60CATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IDB06S60CATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |