Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDB23E60ATMA1
IDB23E60ATMA1

IDB23E60ATMA1 Infineon Technologies

IDB23E60_rev2_2G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b438cc146ba1&fileId=db3a304412b407950112b438cc9e6ba2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 600V 41A PGTO26332
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 41A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 23 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
293+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDB23E60ATMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE STD 600V 41A PGTO26332, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 23 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Current - Average Rectified (Io): 41A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB.

Інші пропозиції IDB23E60ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDB23E60ATMA1 IDB23E60ATMA1 Infineon Technologies IDB23E60_rev2_2G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b438cc146ba1&fileId=db3a304412b407950112b438cc9e6ba2 Description: DIODE STD 600V 41A PGTO26332
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 23 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Current - Average Rectified (Io): 41A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDB23E60ATMA1 IDB23E60_rev2_2G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b438cc146ba1&fileId=db3a304412b407950112b438cc9e6ba2
IDB23E60ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 600V 41A PGTO26332
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 23 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Current - Average Rectified (Io): 41A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.