IDB30E120ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE STD 1200V 50A PGTO26332
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 243 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 45.00 грн |
| 2000+ | 38.33 грн |
| 3000+ | 36.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDB30E120ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDB30E120ATMA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 50 A, Einfach, 2.15 V, 243 ns, 102 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 102A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.15V, Sperrverzögerungszeit: 243ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IDB30, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDB30E120ATMA1 за ціною від 36.05 грн до 200.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDB30E120ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3; Ufmax: 2.15V Mounting: SMD Max. forward voltage: 2.15V Load current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO263-3 Features of semiconductor devices: fast switching Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDB30E120ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE STD 1200V 50A PGTO26332 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 243 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDB30E120ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Small Signal Switching Diodes FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDB30E120ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDB30E120ATMA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 50 A, Einfach, 2.15 V, 243 ns, 102 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 102A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.15V Sperrverzögerungszeit: 243ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDB30 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDB30E120ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3; Ufmax: 2.15V Mounting: SMD Max. forward voltage: 2.15V Load current: 30A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO263-3 Features of semiconductor devices: fast switching Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 624 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDB30E120ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDB30E120ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDB30E120ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
товару немає в наявності |