IDD03SG60CXTMA1

IDD03SG60CXTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 58345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+120.57 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD03SG60CXTMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V.

Інші пропозиції IDD03SG60CXTMA1 за ціною від 121.61 грн до 170.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDD03SG60CXTMA1 IDD03SG60CXTMA1 Виробник : Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 58345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
207+170.90 грн
500+154.40 грн
1000+141.44 грн
10000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en-1225796.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA1 IDD03SG60CXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53 Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.