IDD03SG60CXTMA2

IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies


idd03sg60c_rev2.4.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+71.96 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IDD03SG60CXTMA2 за ціною від 37.73 грн до 172.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53 Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.95 грн
500+55.57 грн
1000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+79.97 грн
175+79.60 грн
202+69.01 грн
250+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
363+95.84 грн
500+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 363
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
363+95.84 грн
500+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 363
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+99.87 грн
10+79.97 грн
25+79.60 грн
100+66.55 грн
250+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDD03SG60C_DS_v02_04_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.49 грн
10+81.20 грн
100+54.07 грн
500+44.44 грн
1000+41.54 грн
2500+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53 Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.75 грн
10+87.82 грн
100+62.41 грн
500+46.75 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53 Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.03 грн
10+110.65 грн
100+74.95 грн
500+55.57 грн
1000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies idd03sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53 Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.