IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 58.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDD03SG60CXTMA2 за ціною від 42.31 грн до 164.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V |
на замовлення 1856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IDD03SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |