IDD04SG60CXTMA2

IDD04SG60CXTMA2 Infineon Technologies


Infineon-IDD04SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dcc02a0f1a63 Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.54 грн
5000+63.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD04SG60CXTMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IDD04SG60CXTMA2 за ціною від 62.96 грн до 219.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDD04SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IDD04SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dcc02a0f1a63 Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.96 грн
500+70.81 грн
1000+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD04SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IDD04SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dcc02a0f1a63 Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.80 грн
10+111.41 грн
100+89.96 грн
500+70.81 грн
1000+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDD04SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDD04SG60C_DS_v02_04_en-1131025.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.09 грн
10+123.52 грн
100+84.60 грн
250+80.19 грн
500+73.42 грн
1000+69.08 грн
2500+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDD04SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDD04SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dcc02a0f1a63 Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
на замовлення 8786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.64 грн
10+126.60 грн
100+94.40 грн
500+71.54 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDD04SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies idd04sg60c_rev2.4.pdf Rectifier Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.