IDD05SG60C Infineon Technologies
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDD05SG60C Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V.
Інші пропозиції IDD05SG60C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IDD05SG60C | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 IDD05SG60C SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||
 |
IDD05SG60C | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |