Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDD06SG60CXTMA2
IDD06SG60CXTMA2

IDD06SG60CXTMA2 Infineon Technologies

IDD06SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd36c4741a85
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD06SG60CXTMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDD06SG60CXTMA2 за ціною від 90.48 грн до 363.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD06SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd36c4741a85 Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
на замовлення 9208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.34 грн
10+180.71 грн
100+126.81 грн
500+97.42 грн
1000+90.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Infineon Technologies idd06sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.03 грн
44+326.01 грн
52+273.47 грн
100+249.88 грн
500+207.92 грн
1000+189.36 грн
2000+184.24 грн
2500+176.05 грн
5000+170.93 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 Infineon Technologies Infineon_IDD06SG60C_DS_v02_04_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 IDD06SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd36c4741a85
IDD06SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A PGTO2523
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
на замовлення 9208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.34 грн
10+180.71 грн
100+126.81 грн
500+97.42 грн
1000+90.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 idd06sg60c_rev2.4.pdf
IDD06SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+363.03 грн
44+326.01 грн
52+273.47 грн
100+249.88 грн
500+207.92 грн
1000+189.36 грн
2000+184.24 грн
2500+176.05 грн
5000+170.93 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 Infineon_IDD06SG60C_DS_v02_04_en.pdf
IDD06SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 INFNS19737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD06SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD06SG60CXTMA2 INFNS19737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD06SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.