Продукція > INFINEON > IDD08SG60CXTMA2
IDD08SG60CXTMA2

IDD08SG60CXTMA2 INFINEON


IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+178.26 грн
500+129.51 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD08SG60CXTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 12nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDD08SG60CXTMA2 за ціною від 111.77 грн до 366.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDD08SG60C_DS_v02_04_en-1131190.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.47 грн
10+288.50 грн
100+203.05 грн
250+192.01 грн
500+180.98 грн
1000+154.49 грн
2500+148.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 Виробник : INFINEON IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96 Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+353.22 грн
10+245.93 грн
100+178.26 грн
500+129.51 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96 Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.07 грн
10+233.50 грн
100+165.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 Виробник : Infineon IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies idd08sg60c_rev2.4.pdf 3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96 Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.