Продукція > INFINEON > IDD08SG60CXTMA2
IDD08SG60CXTMA2

IDD08SG60CXTMA2 INFINEON

IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+162.81 грн
500+121.41 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD08SG60CXTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 12nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IDD08SG60CXTMA2 за ціною від 102.90 грн до 364.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDD08SG60C-DS-v02_04-en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 5083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.16 грн
10+211.55 грн
100+130.39 грн
500+120.53 грн
1000+109.25 грн
2500+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 INFINEON IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96 Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.19 грн
10+229.42 грн
100+162.81 грн
500+121.41 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96 Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.75 грн
10+232.66 грн
100+165.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 Infineon IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 Infineon-IDD08SG60C-DS-v02_04-en.pdf
IDD08SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 5083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+323.16 грн
10+211.55 грн
100+130.39 грн
500+120.53 грн
1000+109.25 грн
2500+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96
IDD08SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+346.19 грн
10+229.42 грн
100+162.81 грн
500+121.41 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96
IDD08SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+364.75 грн
10+232.66 грн
100+165.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.