IDD08SG60CXTMA2 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 150.22 грн |
| 500+ | 120.74 грн |
| 1000+ | 99.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDD08SG60CXTMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 12nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IDD08SG60CXTMA2 за ціною від 99.69 грн до 358.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDD08SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 5083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDD08SG60CXTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDD08SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
IDD08SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |