IDD09SG60CXTMA2 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD09SG60CXTMA2 - IDD09SG60C 3 RD GENERATION THINQ! SIC S
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 91+ | 279.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDD09SG60CXTMA2 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IDD09SG60CXTMA2 за ціною від 197.16 грн до 394.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDD09SG60CXTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDD09SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDD09SG60CXTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IDD09SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |