Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDD10SG60C
IDD10SG60C

IDD10SG60C Infineon Technologies

Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en-522608.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD10SG60C Infineon Technologies

Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 10A; 120W, Mounting: SMD, Max. forward impulse current: 44A, Max. forward voltage: 1.8V, Power dissipation: 120W, Technology: CoolSiC™ 3G; SiC, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 10A, Kind of package: reel; tape, Semiconductor structure: single diode, Leakage current: 0.8µA, Case: PG-TO252-3, Type of diode: Schottky rectifying.

Інші пропозиції IDD10SG60C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDD10SG60C IDD10SG60C INFINEON TECHNOLOGIES IDD10SG60C-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 10A; 120W
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 44A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 120W
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.8µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60C IDD10SG60C-DTE.pdf
IDD10SG60C
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 10A; 120W
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 44A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 120W
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.8µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.