Продукція > INFINEON > IDD10SG60CXTMA2
IDD10SG60CXTMA2

IDD10SG60CXTMA2 INFINEON


INFNS19787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+209.51 грн
500+183.52 грн
1000+149.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD10SG60CXTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IDD10SG60CXTMA2 за ціною від 143.67 грн до 443.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDD10SG60C_DS_v02_04_en-1131097.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.81 грн
10+282.61 грн
25+244.99 грн
100+175.42 грн
500+173.91 грн
1000+152.74 грн
2500+143.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Виробник : INFINEON INFNS19787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+405.46 грн
10+293.49 грн
100+209.51 грн
500+183.52 грн
1000+149.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.32 грн
10+285.68 грн
100+205.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies idd10sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.