Продукція > INFINEON > IDD10SG60CXTMA2
IDD10SG60CXTMA2

IDD10SG60CXTMA2 INFINEON


Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+205.50 грн
500+160.16 грн
1000+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD10SG60CXTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IDD10SG60CXTMA2 за ціною від 147.14 грн до 431.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Виробник : INFINEON Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+385.41 грн
10+276.47 грн
100+205.50 грн
500+160.16 грн
1000+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDD10SG60C_DS_v02_04_en-1131097.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.69 грн
10+307.96 грн
25+238.36 грн
100+200.11 грн
250+191.28 грн
500+174.36 грн
1000+164.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.33 грн
10+277.95 грн
100+199.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies idd10sg60c_rev2.4.pdf Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304327b897500127dd77c6a21abe Description: DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.