IDD15E60BUMA1

IDD15E60BUMA1 Infineon Technologies


Infineon-IDD15E60-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ade16efd87a9f
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Current - Average Rectified (Io): 29.2A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 14802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
544+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD15E60BUMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Current - Average Rectified (Io): 29.2A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 87 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk.