IDDD06G65C6XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 115+ | 106.57 грн |
| 120+ | 101.70 грн |
| 122+ | 100.04 грн |
| 500+ | 93.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD06G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IDDD06G65C6XTMA1 за ціною від 68.52 грн до 210.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes Y |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 18A PGHDSOP101 Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 6A; 73W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 73W Case: PG-HDSOP-10-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 650V Leakage current: 0.6µA Semiconductor structure: single diode Load current: 6A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 30A Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 18A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IDDD06G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 6A; 73W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 73W Case: PG-HDSOP-10-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 650V Leakage current: 0.6µA Semiconductor structure: single diode Load current: 6A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 30A Type of diode: Schottky rectifying |
товару немає в наявності |