Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDDD06G65C6XTMA1
IDDD06G65C6XTMA1

IDDD06G65C6XTMA1 Infineon Technologies

24infineon-iddd06g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+107.85 грн
120+102.93 грн
122+101.25 грн
500+94.61 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD06G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IDDD06G65C6XTMA1 за ціною від 70.96 грн до 218.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 24infineon-iddd06g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1700+135.93 грн
Мінімальне замовлення: 1700
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004843289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.83 грн
500+96.59 грн
1000+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004843289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+210.60 грн
10+175.64 грн
100+139.83 грн
500+96.59 грн
1000+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDDD06G65C6_DS_v02_00_EN-1731439.pdf SiC Schottky Diodes Y
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.13 грн
10+180.06 грн
100+124.65 грн
500+105.65 грн
1000+88.93 грн
1700+84.37 грн
3400+82.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD06G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD06G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f86ff8c0e09 Description: DIODE SIC 650V 18A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+101.12 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 24infineon-iddd06g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 24infineon-iddd06g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 24infineon-iddd06g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD06G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f86ff8c0e09 Description: DIODE SIC 650V 18A PGHDSOP101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.