IDDD08G65C6XTMA1

IDDD08G65C6XTMA1 Infineon Technologies


Infineon_IDDD08G65C6_DS_v02_00_EN-1731435.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes Y
на замовлення 2802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.96 грн
10+143.48 грн
100+104.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD08G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IDDD08G65C6XTMA1 за ціною від 105.48 грн до 306.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD08G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff7d31a104b Description: DIODE SIC 650V 24A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.60 грн
10+180.11 грн
100+126.62 грн
500+105.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON 2619569.pdf Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+306.27 грн
5+305.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON 2619569.pdf Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 40infineon-iddd08g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 40infineon-iddd08g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 40infineon-iddd08g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDDD08G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 8A; 90W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 90W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 0.8µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 8A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD08G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff7d31a104b Description: DIODE SIC 650V 24A PGHDSOP101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDDD08G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 8A; 90W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 90W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 0.8µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 8A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.