IDDD10G65C6XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 132.55 грн |
| 500+ | 120.02 грн |
| 1000+ | 110.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD10G65C6XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDDD10G65C6XTMA1 за ціною від 110.79 грн до 335.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDDD10G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDDD10G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDDD10G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDDD10G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDDD10G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDDD10G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 10A Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 105W Case: PG-HDSOP-10-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 650V Leakage current: 1µA Semiconductor structure: single diode Load current: 10A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IDDD10G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 29A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IDDD10G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 10A Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 105W Case: PG-HDSOP-10-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 650V Leakage current: 1µA Semiconductor structure: single diode Load current: 10A Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Type of diode: Schottky rectifying |
товару немає в наявності |