Продукція > INFINEON > IDDD10G65C6XTMA1
IDDD10G65C6XTMA1

IDDD10G65C6XTMA1 INFINEON

Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.29 грн
500+123.41 грн
1000+113.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD10G65C6XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IDDD10G65C6XTMA1 за ціною від 113.92 грн до 344.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDDD10G65C6_DS_v02_00_EN-1731440.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.85 грн
10+167.48 грн
100+119.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 25infineon-iddd10g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+241.51 грн
52+239.06 грн
55+216.84 грн
100+182.15 грн
250+173.81 грн
500+150.47 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 25infineon-iddd10g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+261.38 грн
10+258.76 грн
25+256.14 грн
50+232.33 грн
100+195.16 грн
250+186.23 грн
500+161.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004843283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+302.20 грн
10+218.40 грн
100+168.46 грн
500+135.20 грн
1000+113.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051 Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.47 грн
10+197.61 грн
100+153.68 грн
500+119.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 25infineon-iddd10g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051 IDDD10G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051 Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.