Продукція > INFINEON > IDDD12G65C6XTMA1
IDDD12G65C6XTMA1

IDDD12G65C6XTMA1 INFINEON

INFN-S-A0010751627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+179.48 грн
500+146.02 грн
1000+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD12G65C6XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IDDD12G65C6XTMA1 за ціною від 131.96 грн до 381.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-Selection_guide_CoolSiC_Silicon_Carbide_Schottky_diodes-SG-v05_00-EN.pdf?fileId=db3a3043399628450139b0701a1d21d2 Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+189.22 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IDDD12G65C6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462727878c201727eb440285b69 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+219.00 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 45infineon-iddd12g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+274.04 грн
10+262.44 грн
25+258.22 грн
50+247.76 грн
100+216.22 грн
250+199.44 грн
500+185.36 грн
1000+179.48 грн
3000+174.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0010751627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+280.74 грн
10+246.17 грн
100+179.48 грн
500+146.02 грн
1000+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDDD12G65C6_DataSheet_v02_00_EN-3362040.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.26 грн
10+251.51 грн
100+188.61 грн
250+160.73 грн
500+159.26 грн
1000+155.59 грн
1700+153.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 45infineon-iddd12g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+295.12 грн
44+278.08 грн
50+266.82 грн
100+232.85 грн
250+214.78 грн
500+199.61 грн
1000+193.29 грн
3000+187.86 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-Selection_guide_CoolSiC_Silicon_Carbide_Schottky_diodes-SG-v05_00-EN.pdf?fileId=db3a3043399628450139b0701a1d21d2 Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 45infineon-iddd12g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDDD12G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 12A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 1.2µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 12A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 51A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-Selection_guide_CoolSiC_Silicon_Carbide_Schottky_diodes-SG-v05_00-EN.pdf?fileId=db3a3043399628450139b0701a1d21d2 Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDDD12G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 12A
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Leakage current: 1.2µA
Semiconductor structure: single diode
Load current: 12A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 51A
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.