IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IDDD12G65C6XTMA1 за ціною від 217.81 грн до 375.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 3032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 3032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 34A Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IDDD12G65C6XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOPtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IDDD12G65C6XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOPtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IDDD12G65C6XTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODEtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 116 шт В кошику од. на суму грн. |
| IDDD12G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R
Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 342.17 грн |
| 10+ | 327.68 грн |
| 25+ | 322.41 грн |
| 50+ | 309.36 грн |
| 100+ | 269.98 грн |
| 250+ | 249.02 грн |
| 500+ | 231.44 грн |
| 1000+ | 224.10 грн |
| 3000+ | 217.81 грн |
| IDDD12G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R
Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 342.17 грн |
| 44+ | 322.41 грн |
| 50+ | 309.36 грн |
| 100+ | 269.98 грн |
| 250+ | 249.02 грн |
| 500+ | 231.44 грн |
| 1000+ | 224.10 грн |
| 3000+ | 217.81 грн |
| IDDD12G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 34A
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 34A
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 375.39 грн |
| IDDD12G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDDD12G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDDD12G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDDD12G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





