IDDD12G65C6XTMA1

IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-Selection_guide_CoolSiC_Silicon_Carbide_Schottky_diodes-SG-v05_00-EN.pdf?fileId=db3a3043399628450139b0701a1d21d2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
на замовлення 5200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+186.82 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Current - Average Rectified (Io): 34A, Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 10-PowerSOP Module, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IDDD12G65C6XTMA1 за ціною від 145.62 грн до 376.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDDD12G65C6_DataSheet_v02_00_EN-3362040.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.55 грн
10+238.77 грн
100+179.06 грн
250+152.58 грн
500+151.19 грн
1000+147.71 грн
1700+145.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-Selection_guide_CoolSiC_Silicon_Carbide_Schottky_diodes-SG-v05_00-EN.pdf?fileId=db3a3043399628450139b0701a1d21d2 Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 34A
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD12G65C6XTMA1 IDDD12G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-Selection_guide_CoolSiC_Silicon_Carbide_Schottky_diodes-SG-v05_00-EN.pdf?fileId=db3a3043399628450139b0701a1d21d2 Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 34A
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.