IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 121+ | 186.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD12G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Current - Average Rectified (Io): 34A, Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 10-PowerSOP Module, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IDDD12G65C6XTMA1 за ціною від 145.62 грн до 376.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDDD12G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDDD12G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 34A Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDDD12G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 34A PGHDSOP101Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 34A Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
