IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 107+ | 220.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 43A, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V.
Інші пропозиції IDDD16G65C6XTMA1 за ціною від 215.82 грн до 618.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDDD16G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDDD16G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V |
товару немає в наявності |