Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDDD16G65C6XTMA1
IDDD16G65C6XTMA1

IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+229.77 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 43A, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V.

Інші пропозиції IDDD16G65C6XTMA1 за ціною від 225.16 грн до 645.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 47infineon-iddd16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+409.24 грн
33+388.23 грн
34+384.40 грн
100+331.22 грн
250+303.65 грн
500+267.81 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDDD16G65C6_DS_v02_00_EN-1731492.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.15 грн
10+354.89 грн
100+262.94 грн
250+260.58 грн
500+245.62 грн
1700+225.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 47infineon-iddd16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+438.47 грн
10+415.96 грн
25+411.86 грн
100+354.88 грн
250+325.34 грн
500+286.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 47infineon-iddd16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+645.31 грн
26+498.90 грн
50+451.18 грн
100+413.10 грн
200+363.13 грн
500+328.16 грн
1000+310.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 47infineon-iddd16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 47infineon-iddd16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.