IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 396.74 грн |
| 10+ | 339.16 грн |
| 100+ | 251.29 грн |
| 250+ | 249.03 грн |
| 500+ | 234.74 грн |
| 1700+ | 215.17 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 43A, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V.
Інші пропозиції IDDD16G65C6XTMA1 за ціною від 241.26 грн до 740.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IDDD16G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 469.79 грн |
| 10+ | 445.67 грн |
| 25+ | 441.28 грн |
| 100+ | 380.23 грн |
| 250+ | 348.58 грн |
| 500+ | 307.43 грн |
| IDDD16G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 469.79 грн |
| 33+ | 445.67 грн |
| 34+ | 441.28 грн |
| 100+ | 380.23 грн |
| 250+ | 348.58 грн |
| 500+ | 307.43 грн |
| IDDD16G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 566.56 грн |
| 10+ | 369.22 грн |
| 50+ | 293.62 грн |
| 100+ | 252.72 грн |
| 500+ | 241.26 грн |
| IDDD16G65C6XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 740.79 грн |
| 26+ | 572.72 грн |
| 50+ | 517.94 грн |
| 100+ | 474.22 грн |
| 200+ | 416.86 грн |
| 500+ | 376.72 грн |
| 1000+ | 356.44 грн |





