Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDDD16G65C6XTMA1
IDDD16G65C6XTMA1

IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 43A
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1700+228.50 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Current - Average Rectified (Io): 43A, Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 10-PowerSOP Module, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V.

Інші пропозиції IDDD16G65C6XTMA1 за ціною від 197.44 грн до 610.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IDDD16G65C6_DS_v02_00_EN-1731492.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.04 грн
10+311.21 грн
100+230.57 грн
250+228.50 грн
500+215.39 грн
1700+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.43 грн
10+398.02 грн
100+290.30 грн
500+229.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 Infineon_IDDD16G65C6_DS_v02_00_EN-1731492.pdf
IDDD16G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.04 грн
10+311.21 грн
100+230.57 грн
250+228.50 грн
500+215.39 грн
1700+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c
IDDD16G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+610.43 грн
10+398.02 грн
100+290.30 грн
500+229.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.