Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDDD16G65C6XTMA1
IDDD16G65C6XTMA1

IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+207.24 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 43A, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V.

Інші пропозиції IDDD16G65C6XTMA1 за ціною від 195.27 грн до 654.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDDD16G65C6_DS_v02_00_EN-1731492.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.04 грн
10+307.79 грн
100+228.04 грн
250+225.99 грн
500+213.02 грн
1700+195.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 47infineon-iddd16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+414.90 грн
33+393.60 грн
34+389.72 грн
100+335.80 грн
250+307.85 грн
500+271.51 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 47infineon-iddd16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+444.54 грн
10+421.71 грн
25+417.56 грн
100+359.79 грн
250+329.84 грн
500+290.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 47infineon-iddd16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+654.23 грн
26+505.80 грн
50+457.42 грн
100+418.81 грн
200+368.15 грн
500+332.70 грн
1000+314.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 47infineon-iddd16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.