IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1700+254.54 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IDDD20G65C6XTMA1 за ціною від 281.55 грн до 628.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.93 грн
10+462.01 грн
25+457.10 грн
100+414.71 грн
250+379.10 грн
500+347.00 грн
1000+342.79 грн
1700+338.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+478.93 грн
31+462.01 грн
32+457.10 грн
100+414.71 грн
250+379.10 грн
500+347.00 грн
1000+342.79 грн
1700+338.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.54 грн
10+496.98 грн
25+495.18 грн
100+443.78 грн
250+397.91 грн
500+365.15 грн
1000+364.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+516.54 грн
29+495.18 грн
100+443.78 грн
250+397.91 грн
500+365.15 грн
1000+364.99 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 51A
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+628.30 грн
10+412.67 грн
100+304.01 грн
500+281.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 INFINEON INFN-S-A0004843282-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 INFINEON Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+478.93 грн
10+462.01 грн
25+457.10 грн
100+414.71 грн
250+379.10 грн
500+347.00 грн
1000+342.79 грн
1700+338.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+478.93 грн
31+462.01 грн
32+457.10 грн
100+414.71 грн
250+379.10 грн
500+347.00 грн
1000+342.79 грн
1700+338.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+516.54 грн
10+496.98 грн
25+495.18 грн
100+443.78 грн
250+397.91 грн
500+365.15 грн
1000+364.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+516.54 грн
29+495.18 грн
100+443.78 грн
250+397.91 грн
500+365.15 грн
1000+364.99 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 51A
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+628.30 грн
10+412.67 грн
100+304.01 грн
500+281.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 INFN-S-A0004843282-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.