IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101, Current - Average Rectified (Io): 51A, Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 10-PowerSOP Module, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1.
Інші пропозиції IDDD20G65C6XTMA1 за ціною від 225.54 грн до 731.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-PowerSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Current - Average Rectified (Io): 51A |
на замовлення 4558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IDDD20G65C6XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 587.94 грн |
| 10+ | 401.22 грн |
| 100+ | 268.54 грн |
| 500+ | 248.80 грн |
| 1000+ | 225.54 грн |
| IDDD20G65C6XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 51A
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 51A
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 731.08 грн |
| 10+ | 480.43 грн |
| 100+ | 353.94 грн |
| 500+ | 282.80 грн |