IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1700+252.28 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IDDD20G65C6XTMA1 за ціною від 279.05 грн до 622.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.67 грн
10+457.90 грн
25+453.03 грн
100+411.02 грн
250+375.73 грн
500+343.92 грн
1000+339.74 грн
1700+335.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+474.67 грн
31+457.90 грн
32+453.03 грн
100+411.02 грн
250+375.73 грн
500+343.92 грн
1000+339.74 грн
1700+335.57 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.95 грн
10+492.56 грн
25+490.78 грн
100+439.83 грн
250+394.38 грн
500+361.90 грн
1000+361.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+511.95 грн
29+490.78 грн
100+439.83 грн
250+394.38 грн
500+361.90 грн
1000+361.74 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 51A
на замовлення 4443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+622.71 грн
10+409.01 грн
100+301.31 грн
500+279.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 INFINEON INFN-S-A0004843282-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 IDDD20G65C6XTMA1 INFINEON Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+474.67 грн
10+457.90 грн
25+453.03 грн
100+411.02 грн
250+375.73 грн
500+343.92 грн
1000+339.74 грн
1700+335.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+474.67 грн
31+457.90 грн
32+453.03 грн
100+411.02 грн
250+375.73 грн
500+343.92 грн
1000+339.74 грн
1700+335.57 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+511.95 грн
10+492.56 грн
25+490.78 грн
100+439.83 грн
250+394.38 грн
500+361.90 грн
1000+361.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 31infineon-iddd20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+511.95 грн
29+490.78 грн
100+439.83 грн
250+394.38 грн
500+361.90 грн
1000+361.74 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 51A
на замовлення 4443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+622.71 грн
10+409.01 грн
100+301.31 грн
500+279.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 INFN-S-A0004843282-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD20G65C6XTMA1 Infineon-IDDD20G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff837cf104e
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.