Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDH02G120C5XKSA1
IDH02G120C5XKSA1

IDH02G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IDH02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f742547f51720
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
229+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH02G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції IDH02G120C5XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDH02G120C5XKSA1 IDH02G120C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDH02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f742547f51720 Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 IDH02G120C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IDH02G120C5_DataSheet_v02_02_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 Infineon-IDH02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f742547f51720
IDH02G120C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 Infineon_IDH02G120C5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IDH02G120C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.