IDH02G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 183.67 грн |
| 10+ | 145.14 грн |
| 100+ | 108.94 грн |
| 500+ | 96.98 грн |
| 1000+ | 81.04 грн |
| 5000+ | 78.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH02G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDH02G120C5XKSA1 за ціною від 107.1 грн до 243.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH02G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-1Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
на замовлення 2036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH02G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 75W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 37A Leakage current: 1.2µA Power dissipation: 75W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IDH02G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; 75W; PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 37A Leakage current: 1.2µA Power dissipation: 75W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Kind of package: tube |
товар відсутній |