IDH02G120C5XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 174.18 грн |
| 10+ | 101.02 грн |
| 100+ | 92.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH02G120C5XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 14nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDH02G120C5XKSA1 за ціною від 62.57 грн до 214.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH02G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH02G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDH02G120C5XKSA1 THT Schottky diodes |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|