IDH02G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH02G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A.
Інші пропозиції IDH02G65C5XKSA2 за ціною від 29.20 грн до 116.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IDH02G65C5XKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.78 грн |
| 10+ | 73.83 грн |
| 100+ | 52.67 грн |
| 500+ | 40.80 грн |
| 1000+ | 31.96 грн |
| 2500+ | 30.17 грн |
| 5000+ | 29.20 грн |