Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDH03G65C5XKSA2
IDH03G65C5XKSA2

IDH03G65C5XKSA2 Infineon Technologies

Infineon_IDH03G65C5_DS_v02_02_en-3361692.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.50 грн
10+112.67 грн
100+77.53 грн
500+66.89 грн
1000+54.27 грн
5000+52.16 грн
10000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH03G65C5XKSA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Not For New Designs, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IDH03G65C5XKSA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDH03G65C5XKSA2 IDH03G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH03G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b1013a0316abfd58ff Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03G65C5XKSA2 IDH03G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b1013a0316abfd58ff
IDH03G65C5XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.