IDH03G65C5XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.48 грн |
| 10+ | 117.60 грн |
| 100+ | 80.92 грн |
| 500+ | 69.82 грн |
| 1000+ | 56.65 грн |
| 5000+ | 54.44 грн |
| 10000+ | 53.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH03G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH03G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 5, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IDH03G65C5XKSA2 за ціною від 81.23 грн до 150.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH03G65C5XKSA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDH03G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 5 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IDH03G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IDH03G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |