Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDH03SG60CXKSA2
IDH03SG60CXKSA2

IDH03SG60CXKSA2 Infineon Technologies

Infineon_IDH03SG60C_DS_v02_03_en-3163492.pdf Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.66 грн
10+140.44 грн
100+97.85 грн
500+78.72 грн
2500+75.78 грн
5000+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH03SG60CXKSA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V.

Інші пропозиції IDH03SG60CXKSA2 за ціною від 87.36 грн до 190.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDH03SG60CXKSA2 IDH03SG60CXKSA2 Виробник : INFINEON INFNS19739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.64 грн
10+140.30 грн
100+112.24 грн
500+87.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CXKSA2 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IDH03SG60C-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012019e44a933f33 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH03SG60CXKSA2 - IDH03SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CXKSA2 IDH03SG60CXKSA2 Виробник : Infineon Technologies idh03sg60c_rev2.2.pdf Generation thinQ SiC Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CXKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDH03SG60C_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30431ff98815012019e44a933f33 IDH03SG60CXKSA2 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH03SG60CXKSA2 IDH03SG60CXKSA2 Виробник : Infineon Technologies IDH03SG60C_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30431ff98815012019e44a933f33 Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.