IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 130+ | 95.58 грн |
| 132+ | 94.01 грн |
| 148+ | 84.31 грн |
| 500+ | 54.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDH04G65C5XKSA2 за ціною від 47.24 грн до 191.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V |
на замовлення 1636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |