IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 108.24 грн |
| 50+ | 106.46 грн |
| 100+ | 95.48 грн |
| 500+ | 61.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 7nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDH04G65C5XKSA2 за ціною від 62.16 грн до 213.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IDH04G65C5XKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDH04G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 108.96 грн |
| 132+ | 107.17 грн |
| 148+ | 96.11 грн |
| 500+ | 62.16 грн |
| IDH04G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 200.84 грн |
| 134+ | 105.60 грн |
| 160+ | 88.73 грн |
| IDH04G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.10 грн |
| 50+ | 100.50 грн |
| 100+ | 90.34 грн |
| 500+ | 68.07 грн |
| 1000+ | 62.70 грн |
| IDH04G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDH04G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






