IDH04G65C6XKSA1
Код товару: 177207
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IDH04G65C6XKSA1 за ціною від 43.06 грн до 259.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 179+ | 82.04 грн |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 163.06 грн |
| 106+ | 139.02 грн |
| 129+ | 114.15 грн |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.23 грн |
| 10+ | 83.67 грн |
| 100+ | 65.11 грн |
| 500+ | 51.97 грн |
| 1000+ | 43.06 грн |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 206.71 грн |
| 10+ | 128.93 грн |
| 50+ | 98.53 грн |
| 100+ | 83.27 грн |
| 500+ | 67.13 грн |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 64+ | 230.95 грн |
| 93+ | 158.45 грн |
| 107+ | 136.81 грн |
| 129+ | 109.76 грн |
| 500+ | 70.97 грн |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 232.84 грн |
| 10+ | 159.74 грн |
| 50+ | 137.93 грн |
| 100+ | 110.66 грн |
| 500+ | 71.55 грн |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 248.19 грн |
| 10+ | 163.06 грн |
| 50+ | 139.02 грн |
| 100+ | 110.07 грн |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 259.42 грн |
| 10+ | 169.68 грн |
| 50+ | 144.49 грн |
| 100+ | 114.26 грн |
| IDH04G65C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





