Продукція > Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі > IDH04G65C6XKSA1

IDH04G65C6XKSA1

Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ccf519a3174d7
Код товару: 177207
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IDH04G65C6XKSA1 за ціною від 40.88 грн до 226.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IDH04G65C6_DS_v02_00_EN-1131065.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.46 грн
10+79.43 грн
100+61.81 грн
500+49.34 грн
1000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ccf519a3174d7 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
на замовлення 6077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.10 грн
50+79.18 грн
100+71.16 грн
500+53.57 грн
1000+49.32 грн
2000+45.75 грн
5000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 INFINEON Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ccf519a3174d7 Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.95 грн
10+145.55 грн
100+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 Infineon_IDH04G65C6_DS_v02_00_EN-1131065.pdf
IDH04G65C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+164.46 грн
10+79.43 грн
100+61.81 грн
500+49.34 грн
1000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ccf519a3174d7
IDH04G65C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
на замовлення 6077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.10 грн
50+79.18 грн
100+71.16 грн
500+53.57 грн
1000+49.32 грн
2000+45.75 грн
5000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 Infineon-IDH04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ccf519a3174d7
IDH04G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+226.95 грн
10+145.55 грн
100+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.