IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 55.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH04G65C6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDH04G65C6XKSA1 за ціною від 41.45 грн до 194.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH04G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDH04G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDH04G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH04G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V |
на замовлення 7047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH04G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH04G65C6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDH04G65C6XKSA1 Код товару: 177207
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IDH04G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IDH04G65C6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |