IDH04SG60CXKSA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.22 грн |
| 10+ | 102.13 грн |
| 100+ | 84.58 грн |
| 500+ | 71.89 грн |
| 1000+ | 55.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH04SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Current - Average Rectified (Io): 4A, Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IDH04SG60CXKSA2 за ціною від 111.86 грн до 233.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDH04SG60CXKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.12 грн |
| 50+ | 111.86 грн |
| IDH04SG60CXKSA2 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)