IDH04SG60CXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH04SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH04SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDH04SG60CXKSA2 за ціною від 60.27 грн до 241.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH04SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH04SG60CXKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH04SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH04SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
IDH04SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IDH04SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IDH04SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IDH04SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |