IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 51.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 24nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IDH05G120C5XKSA1 за ціною від 54.68 грн до 419.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDH05G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH05G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDH05G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDH05G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH05G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDH05G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH05G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IDH05G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDH05G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IDH05G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|