IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.46 грн |
| 50+ | 128.17 грн |
| 100+ | 116.10 грн |
| 500+ | 89.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IDH05G120C5XKSA1 за ціною від 81.05 грн до 280.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IDH05G120C5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.40 грн |
| 10+ | 138.60 грн |
| 100+ | 109.25 грн |
| 500+ | 88.81 грн |
| 1000+ | 81.05 грн |