IDH05G65C5XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 82.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH05G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDH05G65C5XKSA2 за ціною від 110.83 грн до 259.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH05G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH05G65C5XKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ Gen V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDH05G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
IDH05G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |