IDH05G65C5XKSA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 264+ | 133.47 грн |
| 500+ | 127.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH05G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDH05G65C5XKSA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
IDH05G65C5XKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220Kapazitive Gesamtladung: 8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ Gen V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IDH05G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IDH05G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IDH05G65C5XKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





