IDH05SG60CXKSA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDH05SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ Gen III
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 207.15 грн |
| 10+ | 175.86 грн |
| 100+ | 138.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH05SG60CXKSA2 INFINEON
Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V.
Інші пропозиції IDH05SG60CXKSA2 за ціною від 110.27 грн до 277.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH05SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDH05SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
3rd Generation SiC Schottky Diode |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IDH05SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IDH05SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V |
товар відсутній |