IDH06S60CAKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 135+ | 159.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH06S60CAKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V.
Інші пропозиції IDH06S60CAKSA1 за ціною від 194.30 грн до 194.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDH06S60CAKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH06S60CAKSA1 - IDH06S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
IDH06S60CAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|||||
| IDH06S60CAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
товару немає в наявності |